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  • 等離子體去膠機
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      PLASMA等離子體去膠機概要:


      該設備是適用于硅基半導體及化合物半導體前后道的等離子體去膠設備,可用于光刻膠灰化/殘膠去除和表面處理,該系列有兩種配置分別兼容4“/6”/8“或8“/12“晶圓。設計緊湊占地面積小,設備穩定可靠、易于維護、產能高。




      PLASMA等離子體去膠機特點: 


      兼容晶圓尺寸為:4 ” /6 ” /8”或8 ” /12 ”

      支持2 個開放式晶圓匣或SMIF

      高精度3 軸機械手

      2種可選等離子體源:

      RPS (400KHz Toroidal遠程等離子體源 )

      電感耦合等離子體源 (13.56MHz)

      高密度等離子體,去膠速率快

      優異的均勻性和重復性

      占地面積小

      耗材成本(COC)和使用成本(COO)低

      人性化的人機交互操作系統

      工業計算機Windows




      需要詳細參數資料,請聯系我們

      PLASMA等離子體去膠機應用領域: 


      6 ”到8 ”硅基半導體生產線

      ? 刻蝕后光刻膠灰化

      ? 殘膠去除

      ? 高劑量離子注入后光刻膠去除

      3 ”到6 ”碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體生產線光刻膠灰化

      ? 殘膠去除

      ? 高劑量離子注入后光刻膠去除

      ? 圖形下光刻膠釋放

      8 ”到12”晶圓級封裝生產產線光刻膠殘膠去除

      ? 有機物去除

      ? 晶圓表面處理







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